製品情報
最⾼分解能×⾼スループット×⾃動/省⼒化
新しいフラグシップモデル「SU9600」誕⽣
半導体の微細化や先端材料の開発には、ナノレベルでの形態観察が不可⽋です。
⽇⽴ハイテクは、サブナノメートル分解能を保証するSEMの開発に取り組んできました。
新製品の「SU9600」は、従来機*1から継承した0.4nm(30kV)の世界最⾼分解能と、安定した⾼分解能観察とスループット性能により、次世代材料の研究‧評価を⼒強く⽀援します。
*1SU9000II
⾼分解能観察能⼒に優れたコールドFE電⼦源が1972年に商⽤化されて以来、⽇⽴ハイテクは常に技術の改良に努めてきました。最新の電⼦銃を⽤いた装置では、⾼輝度領域で安定して電⼦線を照射することが可能になりました。
SU9600では、低加速電圧においても⾼いS/Nで画像を取得するとともに、⻑時間測定や⼤電流照射分析での使⽤も可能です。

互いに直交する電界と磁界(E×Bフィールド)を対物レンズ上部に形成することで、⼀次電⼦の軌道を変えずに⼆次電⼦を効率よく検出することができます。
これにより少ないプローブ電流でもS/Nやコントラストに優れた像が得られます。

インレンズ型対物レンズは、短焦点距離の実現により球⾯収差や⾊収差の影響を効果的に抑制します。これにより汎⽤型レンズと⽐較して⾼分解能な画像が得られ、数ナノメートル以下の微細構造の安定した観察が可能です。

様々な検出器により⼆次電⼦/反射電⼦/透過電⼦信号が取得可能です。また、⼆次電⼦信号制御が可能になったことで、材質に合わせた多様な観察が提供可能となりました。新規開発されたシンチレータ型反射電⼦検出器(VCD)では応答速度の向上により、部位を特定しやすくなりました。

*オプション
様々なスキャン機能の強化により、⽬的に合わせた画像取得が可能です。これにより作業効率化を実現しました。各種スキャン機能は⾃動化⽀援機能 EM Flow Creator*との連携が可能です。
[強化内容]
・幅広いDwell Time設定
・視野内の関⼼領域のみ任意箇所の撮像*
・最⼤40,960×30,720pixelsの⾼精細キャプチャー*
*オプション

| 型式 | SU9600 |
|---|---|
| 電子銃 | 冷陰極電界放出形電子銃 |
| 二次電子分解能 | 0.4nm(加速電圧:30kV) |
| 二次電子分解能 | 1.0nm(加速電圧:1kV) |
| 二次電子分解能 | 0.6nm(照射電圧:1kV*1) |
| STEM分解能*2 | 0.34nm(加速電圧:30kV / 走査透過電子像による格子像) |
| 加速電圧 | 0.5〜30kV |
| 照射電圧*1 | 0.01〜20kV |
| 倍率 | 80〜3,000,000x |
| 最大画素数 | 10,240 × 7,680、40,960 × 30,720*2 |
| ステージ | サイドエントリーゴニオメーターステージ |
| 試料ステージ可動範囲 | X:±4.0mm、Y:±2.0mm、Z:±0.3mm、T:±40° |
| 最大搭載 試料サイズ:平面試料台 | 5.0mm×9.5mm×3.5mm(高さ)(最大) |
| 最大搭載 試料サイズ:断面試料台 | 2.0mm×6.5mm×5.0mm(高さ)(最大) |
| 検出器 | 二次電子検出器(SE/BSE信号 検出比率可変機能付) |
| 検出器 | Top検出器*2 |
| 検出器 | VCD(Variable Crystal Detector)*2 |
| 検出器 | BF/DF Duo-STEM検出器*2 |
| 検出器 | エネルギー分散形X線検出器*2 |