文字サイズ

製品情報

製品詳細

超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡

SU8600

型式:SU8600

装置写真はオプション付属の状態です。

超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡(SU8600)

  • 超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡(SU8600)

製品概要

高輝度コールドFE電子銃により 低エネルギー条件でも高い分解能を実現

超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡(SU8600)の特徴

概要

SU8600は高空間分解能と多様な信号検出による観察能力で、デバイスや材料の解析からライフサイエンスまで幅広い分野での観察・分析業務をサポートします。
高輝度コールドFE電子銃と検出信号制御機能により、高コントラスト像を高い分解能で提供します。
光学系の自動調整機能やデータ取得自動化を支援するオプション機能を搭載し、大量データの自動取得を可能にしました。

低エネルギー観察条件での超高分解能像

高輝度のコールドFE電子銃により低エネルギー条件でも高い分解能を維持します。
セミインレンズ対物レンズとExB光学系による高効率信号検出により、低エネルギー/低電流条件でも高いS/Nの画像を提供します。








試料ご提供:産業技術総合研究所 上村 佳大 様
RHO型ゼオライトの表面微細構造(照射電圧:800V)


高コントラストの低加速反射電子像

ExB光学系と検出信号制御機能により、目的に応じて二次電子/反射電子信号を分離しての画像取得が可能です。
画像では3D NANDキャパシタ部の酸化膜と窒化膜の層構造を反射電子の組成コントラストで観察しています。


3D NAND 断面(加速電圧:1.5kV)

高速応答性反射電子検出

新規開発されたシンチレータ型反射電子検出器(OCD)は応答速度の向上により、観察部位を特定しやすくなりました。
画像では1秒未満の取得時間ですが、SRAMの下層配線とFin-FETの構造が確認できています。

5nm プロセス SRAM下層配線
(加速電圧:30kV、走査時間<1秒)

スループット向上を支援する自動化機能搭載

SU8600は光学系の自動調整機能を搭載しており、ユーザーの操作負荷を低減します。また、オプション機能 ”EM Flow Creator”では、連続画像取得などの操作の自動化をサポートします。倍率やステージ位置などの条件設定、フォーカス/コントラスト調整などのSEM機能をブロック化し、それらを組み合わせることで一連の観察レシピを作成します。
レシピはブロックをドラッグ&ドロップし、フローのように配置することで作成可能で、レシピを実行することで自動観察を開始します。

ユーザビリティを支援する種々の表示機能

SU8600はデュアルモニターに対応。デュアルモニター使用時は1,280 x 960画素の画像を2画面で表示できるほか、最大6チャンネルの信号を表示することが可能です。
また最大40,960 x 30,720画素での画像保存(オプション機能)により、広い領域から高精細な情報を取得することが可能になりました。


6チャンネル表示画面

SEM信号以外にも、ナビゲーション画面(SEM MAP)やチャンバースコープ画像も表示可能です。
カスタマイズも可能なGUIは、2つのモニターを使用することでワークスペースを拡張し、生産性向上に寄与します。

主な仕様

仕様


型式 SU8600
電子光学系:二次電子分解能 0.6nm@15kV
0.7nm@1kV*1
電子光学系:倍率 20~2,000,000x
電子光学系:電子銃 冷陰極電界放出形電子銃、アノード加熱ヒーター組み込み
電子光学系:加速電圧 0.5~30kV
電子光学系:照射電圧*1 0.01~20kV
検出器:標準検出器 Upper検出器(UD)(ExB フィルター: SE/BSE 信号可変方式)
Lower 検出器(LD)
検出器:オプション検出器 Top検出器(TD)
インカラムミドル検出器(IMD)
シンチレータ型反射電子検出器(OCD)
半導体型反射電子検出器(PD-BSED)
カソードルミネッセンス検出器(CLD)
STEM 検出器
検出器:オプションアクセサリー*2 エネルギー分散型X線検出器(EDS)
電子線後方散乱回折像検出器(EBSD)
試料ステージ: 制御 5軸モータードライブ
試料ステージ:X 0~110mm
試料ステージ:Y 0~110mm
試料ステージ:Z 1.5~40mm
試料ステージ:T -5~70°
試料ステージ:R 360°
試料室:搭載試料サイズ 最大 φ150mm
試料室:試料交換室 最大 φ150mm

備考
※1 リタ―ディングモード使用時
※2 取付可能な分析機器