光アイソレーションプローブ｜Micsig（MOIP1000P（1GHz））の特徴

優れた振幅-周波数特性

DCゲイン精度≦1％、ノイズ≦0.45mVrms、ゼロ・ドリフト<0.1%（5分後）、ゲイン・ドリフト<1%。

第3世代半導体に最適

SiCやGaNのようなデバイスは、非常に高エネルギーの高周波高調波を含む高電圧を数ナノ秒で切り替えることができます。SigOFITは最大帯域幅においても100dB以上のCMRRを有し、高周波コモンモードノイズによる発振を抑制します。

安全性能

SigOFITプローブのテストリードは短く、同軸ケーブル伝送のため、入力キャパシタンスは2.5pF未満で、GaNをテストするのに非常に安全です。* デバイスがすでに臨界状態にある場合、安全性は保証されません。

広い測定範囲

従来の差動プローブは高電圧信号しか測定できませんでしたが、SigOFITプローブは異なるアッテネーター・チップを使用することで、±0.1Vから±5000Vまでの差動モード信号を測定することができ、フルレンジ出力と非常に高いS/N比を実現します。

広い測定範囲

広い測定範囲従来の差動プローブは高電圧信号しか測定できませんでしたが、SigOFITプローブは異なるアッテネーター・チップを使用することで、±0.1Vから±6250までの差動モード信号を測定することができ、最適なレンジで非常に高いS/N比を実現します。

アプリケーション

* モータドライブ、パワーコンバータ、電子安定器の設計
* GaN、SiC、IGBTハーフ/フルブリッジデバイスの設計
* インバータ、UPS、スイッチング電源の設計
* 高電圧、高帯域幅アプリケーションの安全性テスト
* パワーデバイス評価
* 電流シャント測定
* EMIおよびESDトラブルシューティング
* フローティング測定

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アプリケーション事例

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