SiCやGaNなどの化合物半導体、酸化物半導体、薄膜材料の研究開発が加速する中、電気特性を高精度に評価する技術の重要性が高まっています。ホール効果測定は、キャリア濃度、移動度、導電性などを定量的に把握できる代表的な評価手法であり、材料開発やデバイス性能向上に不可欠です。本ウェビナーでは、ホール効果測定の基礎から、最新測定システムによる高感度・高精度評価、半導体材料開発への活用事例まで分かりやすくご紹介します。
| 開催日時 | 2026年6月24日（水）15:00～16:00 |
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| 会場 | ウェビナー形式（zoom） |
| 主催 | ヤマト科学株式会社 |
| 講演内容 | 「～半導体材料開発を加速！～非接触移動度マップと少数キャリア評価技術のご紹介」 日本セミラボ株式会社 アプリケーションマーケティンググループ 熊懐 正彦 半導体プロセスの改善や歩留まり向上には、ウェハ面内の電気特性ばらつきを正確に把握することが重要です。従来は、非接触シート抵抗マッピングにより面内分布を評価する手法が一般的でした。しかし、シート抵抗値はキャリア密度や移動度などが複合的に反映されるため、不具合要因の切り分けには限界がありました。本講演では、シート抵抗だけでなく移動度も非接触・非破壊で面内マッピングできる評価技術をご紹介します。これにより、成膜条件やプロセス異常が電気特性へ与える影響を、より詳細に解析することが可能になります。さらに、AC高感度ホール測定により、低移動度材料や少数キャリア評価を可能にし、半導体材料開発における新たな評価技術もご紹介いたします。 |
| 本件に関するお問い合わせ先 |
試験・検査機器営業部 |
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