半導体のCMP(研磨)プロセスにおける静電相互作用は、研磨レートやウェーハ表面の欠陥やパーティクルの発生に影響を与えます。そこでスラリーの分散性やウェーハ表面のゼータ電位を測定することで、その吸着性や洗浄性などの静電相互作用の評価法について解説します。
また、半導体プロセスにおけるウェーハの品質評価技術として、当社が提供する膜厚や表面構造の評価例をご紹介します。
【ご視聴方法】
本セミナーは「Microsoft Teams」を使用します。
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【注意事項】
・セミナーの録音や録画は固くお断りさせていただきます。
・同業者のご登録はご遠慮いただいておりますのでご了承ください。
| 開催日時 | 2025年12月23日（火） 15：00～16：10 （開始10分前よりアクセス可能です） ※お申込は12月23日（火）10時で締め切らせていただきます。 ※参加URLは開催日の1週間前頃、前日、当日に申込者の方にお送りいたします。 |
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| 会場 | ウェビナー形式 |
| 主催 | 大塚電子株式会社 |
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