半導体のCMP(研磨)プロセスにおける静電相互作用は、研磨レートやウェーハ表面の欠陥やパーティクルの発生に影響を与える。そこでスラリーの分散性やウェーハ表面のゼータ電位を測定することで、その吸着性や洗浄性などの静電相互作用の評価法をご紹介します。半導体プロセスにおけるウェーハの品質評価技術として、当社が提供する膜厚や表面構造の評価例を紹介します。
| 開催日時 | 2024年4月17日（水）15:00～16:10 |
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| 会場 | Web |
| 主催 | 大塚電子株式会社 |
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