パワー半導体のCV特性を解析

半導体CV特性測定器｜TECHMIZE（TH511）の特徴

特徴

●標準2ch、最大6chまで拡張可能
●ゲート電圧VGS：0～±40V
●パラメータ（Ciss、Coss、Crss、RgまたはCies、Coes、Cres、Rg）
●CVカーブスキャン：Ciss-Rgカーブスキャン
●高電圧降伏保護：DS瞬時短絡保護
●ドレイン電圧VDS：0～±200V/±1500V/±3000V

アプリケーション

■アプリケーション
　各種半導体デバイスや材料のC-V特性、寄生容量などの解析

・半導体デバイス / パワー・デバイス
　ダイオード、トランジスタ、MOSFET、IGBT、サイリスタなど

・半導体材料
　ウェハーなど

・電子材料のキャパシタンス要素

大型10.1インチモニタ

Ciss、Coss、Crss、Rgパラメータの結果を同時に表示。
最大6チャンネルの測定パラメーターを表示可能。

リストスキャンモード

チャンネル、パラメータ、および測定条件の任意の組み合わせをサポートし、制限範囲を設定して測定結果を表示できます。

C-V特性曲線解析

対数および線形で曲線スキャンを実現。同じパラメータおよび異なるパラメータで複数の曲線を同時に表示することが可能

シンプルで迅速なセットアップ

パラメータは任意に選択したりオフにすることで時間とデータ伝送を節約することも可能。
遅延時間は自動・任意で設定できます。ゲート抵抗はドレインソースの短絡または開放回路から選択することができグラフィカルな設定画面で設定状況が一目確認できます。

半導体部品の寄生容量

MOSの寄生容量は動作時間、駆動能力、スイッチング損失など多くの特性に影響します。また、回路設計において重要なことは、寄生容量も電圧依存性があるということです。左図はMOSFETを例に挙げています。