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機器

オシロスコープ

光アイソレーションプローブ SigOFIT シリーズ(Micsig)

主な仕様

SigOFITプローブはガルバニック絶縁された光アイソレーションプローブで、専用のアッテネータ内蔵チップと組み合わせる事で1GHz帯域においても100dB以上の非常に高いコモンモード除去比(CMRR)を実現。さらに、プローブチップは2pF程度の低負荷容量です。
SigOFITプローブは高電圧プローブチップにボード実装可能なワイドスパンMCXコネクタ(標準付属)を用いることで、2500Vまで高いCMRRを保ち、これによりハイサイドスイッチのコモンモードノイズの影響を最小に抑えたゲート電圧波形(Vg)を観測ができます。
プローブチップは1:1から1:5000までのラインナップで最大±6250Vの差動電圧に対応。GaN、SiCなどのパワー半導体はもちろん、ダイヤモンド半導体に至るまで幅広いパワー半導体の波形評価に最適です。
プローブチップは、最大80℃・最長1mのカスタマイズが可能なため、恒温槽内での測定にも対応します。
また、50Ω入力を有する殆どのオシロスコープと互換があり、多くのメーカーのオシロスコープで使用可能です。

仕様


商品コード 型式 出力電圧範囲 帯域幅 同相電圧 DC精度 CMRR 差動電圧範囲 ノイズ 立ち上がり時間 重さ 価格(税抜)
537132 MOIP1000P(1GHz) ±500mV 1GHz DC:180dB 1GHz:108dB 1% DC:180dB 1GHz: 108dB - <450µVrms ≤450ps 2.2kg 3,520,000円
537128 MOIP200P(200MHz) ±500mV 200MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 200MHz: 122dB - <0.3mVrms ≤1.5ns 2.2kg 940,000円
537129 MOIP350P(350MHz) ±500mV 350MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 350MHz: 118dB - <0.3mVrms ≤1ns 2.2kg 1,380,000円
537130 MOIP500P(500MHz) ±500mV 500MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 500MHz: 114dB - <0.45mVrms ≤700ps 2.2kg 2,070,000円