SigOFITプローブはガルバニック絶縁された光アイソレーションプローブで、専用のアッテネータ内蔵チップと組み合わせる事で1GHz帯域においても100dB以上の非常に高いコモンモード除去比(CMRR)を実現。さらに、プローブチップは2pF程度の低負荷容量です。
SigOFITプローブは高電圧プローブチップにボード実装可能なワイドスパンMCXコネクタ(標準付属)を用いることで、2500Vまで高いCMRRを保ち、これによりハイサイドスイッチのコモンモードノイズの影響を最小に抑えたゲート電圧波形(Vg)を観測ができます。
プローブチップは1:1から1:5000までのラインナップで最大±6250Vの差動電圧に対応。GaN、SiCなどのパワー半導体はもちろん、ダイヤモンド半導体に至るまで幅広いパワー半導体の波形評価に最適です。
プローブチップは、最大80℃・最長1mのカスタマイズが可能なため、恒温槽内での測定にも対応します。
また、50Ω入力を有する殆どのオシロスコープと互換があり、多くのメーカーのオシロスコープで使用可能です。
商品コード | 型式 | 帯域幅 | 同相電圧 | DC精度 | CMRR | 差動電圧範囲 | ノイズ | 立ち上がり時間 | 重さ | 価格(税抜) |
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537132 | MOIP1000P(1GHz) | 1GHz | 85kVpk | 1% | DC: 180dB 1GHz: 108dB | 0.1V - 5000V | <0.45mVrms | ≤350ps | 2.2kg | 3,203,000円 |
537127 | MOIP100P(100MHz) | 100MHz | 85kVpk | 1% | DC: 180dB 100MHz: 128dB | 2.5V - 5000V | <1.46mVrms | ≤3.5ns | 2.2kg | 566,000円 |
537128 | MOIP200P(200MHz) | 200MHz | 85kVpk | 1% | DC: 180dB 200MHz: 122dB | 2.5V - 5000V | <1.46mVrms | ≤1.75ns | 2.2kg | 850,000円 |
537129 | MOIP350P(350MHz) | 350MHz | 85kVpk | 1% | DC: 180dB 350MHz: 118dB | 1.25V - 5000V | <1.46mVrms | ≤1ns | 2.2kg | 1,256,000円 |
537130 | MOIP500P(500MHz) | 500MHz | 85kVpk | 1% | DC: 180dB 500MHz: 114dB | 0.1V - 5000V | <0.45mVrms | ≤700ps | 2.2kg | 1,885,000円 |
537131 | MOIP800P(800MHz) | 800MHz | 85kVpk | 1% | DC: 180dB 800MHz: 110dB | 0.1V - 5000V | <0.45mVrms | ≤438ps | 2.2kg | 2,574,000円 |