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機器

オシロスコープ

光アイソレーションプローブ SigOFIT シリーズ(Micsig)

主な仕様

SigOFITプローブはガルバニック絶縁された光アイソレーションプローブで、専用のアッテネータ内蔵チップと組み合わせる事で1GHz帯域においても100dB以上の非常に高いコモンモード除去比(CMRR)を実現。さらに、プローブチップは2pF程度の低負荷容量です。
SigOFITプローブは高電圧プローブチップにボード実装可能なワイドスパンMCXコネクタ(標準付属)を用いることで、2500Vまで高いCMRRを保ち、これによりハイサイドスイッチのコモンモードノイズの影響を最小に抑えたゲート電圧波形(Vg)を観測ができます。
プローブチップは1:1から1:5000までのラインナップで最大±6250Vの差動電圧に対応。GaN、SiCなどのパワー半導体はもちろん、ダイヤモンド半導体に至るまで幅広いパワー半導体の波形評価に最適です。
プローブチップは、最大80℃・最長1mのカスタマイズが可能なため、恒温槽内での測定にも対応します。
また、50Ω入力を有する殆どのオシロスコープと互換があり、多くのメーカーのオシロスコープで使用可能です。

仕様


商品コード 型式 帯域幅 同相電圧 DC精度 CMRR 差動電圧範囲 ノイズ 立ち上がり時間 重さ 価格(税抜)
537132 MOIP1000P(1GHz) 1GHz 85kVpk 1% DC: 180dB 1GHz: 108dB 0.1V - 5000V <0.45mVrms ≤350ps 2.2kg 3,203,000円
537127 MOIP100P(100MHz) 100MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 100MHz: 128dB 2.5V - 5000V <1.46mVrms ≤3.5ns 2.2kg 566,000円
537128 MOIP200P(200MHz) 200MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 200MHz: 122dB 2.5V - 5000V <1.46mVrms ≤1.75ns 2.2kg 850,000円
537129 MOIP350P(350MHz) 350MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 350MHz: 118dB 1.25V - 5000V <1.46mVrms ≤1ns 2.2kg 1,256,000円
537130 MOIP500P(500MHz) 500MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 500MHz: 114dB 0.1V - 5000V <0.45mVrms ≤700ps 2.2kg 1,885,000円
537131 MOIP800P(800MHz) 800MHz 85kVpk 1% DC: 180dB 800MHz: 110dB 0.1V - 5000V <0.45mVrms ≤438ps 2.2kg 2,574,000円