SigOFITプローブはガルバニック絶縁された光アイソレーションプローブで、専用のアッテネータ内蔵チップと組み合わせる事で1GHz帯域においても100dB以上の非常に高いコモンモード除去比（CMRR）を実現。さらに、プローブチップは２pF程度の低負荷容量です。
SigOFITプローブは高電圧プローブチップにボード実装可能なワイドスパンMCXコネクタ（標準付属）を用いることで、2500Vまで高いCMRRを保ち、これによりハイサイドスイッチのコモンモードノイズの影響を最小に抑えたゲート電圧波形（Vg）を観測ができます。
プローブチップは1：1から1：5000までのラインナップで最大±6250Vの差動電圧に対応。GaN、SiCなどのパワー半導体はもちろん、ダイヤモンド半導体に至るまで幅広いパワー半導体の波形評価に最適です。
プローブチップは、最大80℃・最長1mのカスタマイズが可能なため、恒温槽内での測定にも対応します。
また、50Ω入力を有する殆どのオシロスコープと互換があり、多くのメーカーのオシロスコープで使用可能です。
